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他的眉毛锁着,目光从雪山上落下。一切都那么熟悉,却又那么陌生。我国成功研制重要战略半导体材料

2020-4-29

他睁眼看到的第一个人就是云殇。

那一瞬间他记住了云殇的微笑——那是云一般淡而清澈的微笑。

似乎还不习惯夺目的阳光那人低下头却见云殇手中展开一方帛锦正以流云般的笔调描绘着他的容貌。

那人轻轻问道:“我是谁?”


  我国成功自主研制了4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料为我国新一代雷达系统的研制奠定基础。
  
  近日我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为该成果国内领先已达到国际先进水平。

  碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率与耐高温的特性是新一代雷达系统的核心。长期以来碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化硅衬底产品生产、加工难度大一直是国内空白国际上只有少数国家掌握该技术并一直对我国进行技术封锁与产品禁运。

  据了解碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件其功率密度是现有微波器件的10倍将成为下一代雷达技术的标准美军干扰机与“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发展。可以说研制高纯半绝缘碳化硅衬底材料是我国新一代雷达系统获得突破的核心课题之一。

  项目研发者、山东天岳公司负责人表示4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料的研制成功使我国拥有了自主可控的重要战略半导体材料它将是新一代雷达、卫星通讯、通讯基站的核心并将在机载雷达系统、地面雷达系统、舰载雷达系统以及弹载雷达系统等领域实现应用。






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